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    電力半導體模塊的發展趨勢

    加入收藏   打印文章   發布日期:2021-09-11 作者:四方電子
     

    模塊化,按最初的定義是把兩個或兩個以上的電力半導體芯片按一定的電路結構相聯結,用rtv、彈性硅凝膠、環氧樹脂等保護材料,密封在一個絕緣的外殼內,并且與導熱底板相絕緣而成的。 自從模塊原理引入電力電子技術領域以來,已開發和生產出多種內部電路相聯接形式的電力半導體模塊,諸如雙向晶閘管、電力mosfet以及絕緣柵雙極型晶閘管(igbt)等模塊,使得模塊技術得以更快的發展。 伴隨著mos結構為基礎的現代半導體器件研發成功,人們把器件芯片與控制電路、驅動電路、過壓、過流、過熱和欠壓保護電路以及自診斷電路組合起來,密封裝在同一絕緣外殼內稱之為智能化電力半導體模塊,即ipm。 為了提高整個系統的可靠性,以適應電力電子技術向高頻化、小型化、模塊化方向發展。在ipm的基礎上,再增加一些逆變器的功能,使逆變電路(ic)的所有器件以芯片形式封裝在一個模塊中,便成為用戶專用電力模塊(aspm),這樣的模塊更有利于高頻化。
    為了能使邏輯電平為幾伏、幾毫安的集成電路ic與幾百伏、幾千伏的電力半導體器件相集成,以滿足電力事業的發展,人們采用混合封裝方法制造出能適應于各種場合的集成電力電子模塊(ipem)。

     
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